EUV光刻，新里程碑

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EUV光刻，新里程碑

 

重点标签 High NA EUV、ASML-imec、光刻技术、半导体制造、环保减排

文章摘要

在半导体行业即将迎来High NA EUV光刻技术的新时代之际，imec的高级副总裁Steven Scheer深入讨论了ASML-imec联合高NA EUV光刻实验室对行业的深远影响。位于荷兰费尔德霍芬的实验室开业，标志着High NA EUV技术向大规模生产迈出了重要一步。领先的内存和逻辑芯片制造商现在可以利用首台原型High NA (0.55NA) EUV扫描仪TWINSCAN EXE:5000及其配套基础设施进行研发，这将有助于降低图案化技术的风险并开发专用的High NA EUV用例。

实验室的成立旨在加速High NA EUV技术的经济高效生产，ASML和ZEISS已开发出专用解决方案，涉及光源、光学元件等关键技术。imec与ASML及供应商网络合作，为0.55NA图案化生态系统的准备就绪提供了支持，确保了先进光刻胶和底层材料、光掩模等关键技术的及时供应。首批晶圆的曝光成功打印出10nm和16nm宽的线条/空间，预示着2025-2026年High NA EUV技术的大批量生产将成为可能。

High NA EUV技术将首先应用于14A代逻辑芯片的生产，实现更精细的金属线图案化，提高产量并缩短周期时间，同时减少二氧化碳排放。随后，该技术将进入内存芯片制造领域，对DRAM内存的关键结构进行图案化。imec和合作伙伴正着眼于下一代High NA EUV技术，将联合实验室作为imec设施的延伸，密切监测原型光刻集群的性能，并与计量领域合作伙伴开发专用检测工具，以提高图案结构的缺陷率。

除了High NA EUV技术，imec也在扩展0.33NA EUV活动，以改善图案化生态系统，包括场拼接技术、光刻胶和底层开发等关键领域。定向自组装(DSA)技术也在研究之中，以进一步降低缺陷率并适应High NA EUV技术。同时，imec和ASML已经开始对Hyper NA EUV技术的可行性进行研究，这可能成为0.55NA EUV的继任者，允许打印更精细的线条/空间。

环境影响方面，imec使用虚拟晶圆厂模型量化了从Low NA EUV多重曝光过渡到High NA EUV单次曝光对环境的影响，结果显示二氧化碳排放量总体减少了30%。此外，imec还在探索减少氟化合物排放的工艺和设计方向，以及不含PFAS或限量PFAS的替代品。

最后，2024年1月5日，智求共赢・中国AIGC产业应用峰会暨无界AI生态合作伙伴大会在杭州举行，聚焦AIGC领域，探讨行业新思路和新模式。同时，AI新智界园区开放合作，为行业提供更多机遇。

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原文作者: AIGC新智界